PECVD

摘要： 随着显示产业的迅猛发展,大尺寸、宽色域、高动态范围(HDR)和高亮度给薄膜晶体管(TFT)面板带来了更大的挑战。经过测试,在40000 nit高亮度背光照明下,经过500小时照明,面板的充电能力衰减幅度高达13%。其机理与TFT结构密切相关,如栅极的功函数和栅极绝缘层(GI)的光学带隙(E_(g))。经研究,通过将GI层光学带隙从4.1 eV提升到4.7 eV,高亮度应力下衰减幅度从13%改善到了1%以下。

摘要： 光伏行业在蓬勃发展,作为光伏电池生产中核心工艺设备的PECVD设备的反应炉和载片机构也随着硅片尺寸的持续增长而不断增大,直至原有炉管使用的常规加热系统已经无法满足要求,为了保证热控及生产效果,必须对设备进行开发优化以提质。在此情况下,我们就如何制造一种用于PECVD反应炉中的辅助加热装置,并且使此装置能够保证工艺效果而展开了相关研究。

摘要： 利用Star-CCM流体仿真软件,按照常规工艺参数,对管式等离子增强化学气相沉积(PECVD)设备反应室腔体进行三维建模仿真,研究搭载不同结构石墨舟的反应室腔体内部流场分布,结合仿真数据,分组实验验证镂空石墨舟块对镀膜均匀性的影响。实验结果表明:镂空舟块能有效改善石墨舟的舟中及舟尾舟片间的气流分布,提高薄膜生长的均匀性。

摘要： 以采用PECVD工艺制备的背面氮化硅薄膜对双面单晶硅太阳电池电致发光(EL)发黑的影响为研究对象进行了实验验证.结果表明,当背面氮化硅薄膜中底层膜的折射率较低时,会导致双面单晶硅太阳电池背电极位置的EL发黑;底层膜和中层膜的折射率过高时,会导致双面单晶硅太阳电池的EL大面积发黑;上层膜边缘的折射率较高时,会导致双面单晶硅太阳电池的边缘位置EL发黑.对于双面单晶硅太阳电池而言,采用PECVD工艺制备背面氮化硅薄膜时制定合理的底层膜、中层膜,以及上层膜边缘的折射率范围,可以有效避免双面单晶硅太阳电池不良品的产生.

摘要： cqvip:原子氧(Atomic Oxygen)是由太阳紫外光(波长<243 nm)离解低地球轨道环境中的残余氧分子而形成的。低轨道原子氧的密度在109~105 cm^(-3)左右,航天器高速飞行(7.8 km/s)增大了原子氧对航天器表面材料的撞击能量(~5 eV)和通量。轨道越低,航天器表面经受的原子氧通量越大。原子氧是极强的氧化剂,可对航天器表面的有机材料和部分金属材料产生严重的氧化剥蚀作用,导致材料厚度减薄、表面形貌变化、热学/电学性能改变,甚至完全失效。如:厚度25μm的聚酰亚胺(PI)材料暴露在400 km轨道约10个月后,将会被原子氧完全剥蚀。因此,原子氧是低轨道长寿命航天器在轨高可靠运行的最大威胁。

摘要： SiNx膜层作为太阳能电池的减反射膜起到了钝化和减反射的作用.在太阳能电池制备过程中,主要是利用PECVD(等离子体化学气相沉积)设备生长厚度为70～85 nm的SiNx膜层.然而,随着生产设备连续运行,SiNx将不断地沉积在特气孔上导致工艺腔室中反应气体均匀性变差,进而影响太阳能电池的转化效率.在实际生产过程中,PECVD设备连续运行约150 h,需要对设备进行约3-4 h的维护,从而降低了该设备的太阳能电池生产率,增加了太阳能电池成本.基于TRIZ理论,通过功能模型、因果分析对系统存在的问题进行了深入分析,进而利用矛盾矩阵获得众多方案.最终,将特气孔用液体隔离避免了 SiNx的沉积,将PECVD设备的维护时间缩短到0.5 h,运行周期达1 400 h,大大提高了设备生产率.

摘要： 针对半导体产业对氧化硅薄膜的需求,介绍了采用自制的PECVD设备研究了SiO2薄膜生长的膜厚均匀性分别与喷淋板孔结构和工艺参数之间的关系.实验结果表明:在结构方面,SiO2薄膜均匀性主要受到喷淋板孔径大小与结构的影响;在工艺参数方面,SiO2薄膜的膜厚均匀性主要受到反应腔室压力的影响.通过结构和工艺参数的综合调整,制备出了膜厚均匀性好的SiO2薄膜.

摘要： 典型加热方式的反应腔已逐渐难以满足硅片尺寸增大、装片量要求增多情况下的生产需要,论文提出在反应腔中内置辅助加热装置,并进行对比实验分析其对工艺的影响.实验结果显示,辅助加热装置在缩短升温时间、提升设备产能的情况下,得到更优氮化硅成膜均匀性指标,特别是对片间均匀性有较为明显的提升作用.

摘要： 为了揭示工作气体对DLC涂层的影响及为DLC在高温下的应用提供参考,通过通过控制工作气体中乙炔含量(C_(2)H_(2)/Ar流量比=100∶0、75∶25、50∶50),采用等离子体增强化学气相沉积(PE-CVD)技术在304不锈钢基体上制备不同含氢量类金刚石薄膜(a-C:H);采用红外退火装置对样品进行了恒温退火处理,使用球-盘式摩擦仪测试了它们的摩擦曲线,并使用显微硬度仪测量了各种处理状态下的显微硬度;使用差热分析仪、拉曼光谱、红外光谱、场发射扫描电镜等分析表征了薄膜的组织结构。研究结果表明:工作气体中乙炔的含量影响DLC涂层的表面形貌和生长速度。随着工作气体中乙炔含量降低,涂层表面趋于光滑平整;DLC生长厚度随工作气体中乙炔含量的减少间呈非线性关系减薄。3组涂层中,75%乙炔制备的涂层sp 3含量最低,但直到高于490°C时退火其I D/I G才开始迅速增加;且从制备态到各种退火态其硬度均高于乙炔含量为100%和50%的工作气体制备的DLC涂层。在相同的压力下,不同C_(2)H_(2)/Ar流量比的类金刚石薄膜的摩擦系数并没有明显的变化,在低温度退火之后的摩擦系数也没有明显的规律,只是在较高温度(490°C)以上,薄膜因为受到高温作用而加速了sp^(3)到sp^(2)的转变从而生成了大量石墨相,导致摩擦系数的下降。

摘要： 针对半导体产业对氧化硅薄膜的需求,介绍了采用自制的PECVD设备研究了SiO_(2)薄膜生长的膜厚均匀性分别与喷淋板孔结构和工艺参数之间的关系。实验结果表明:在结构方面,SiO_(2)薄膜均匀性主要受到喷淋板孔径大小与结构的影响;在工艺参数方面,SiO_(2)薄膜的膜厚均匀性主要受到反应腔室压力的影响。通过结构和工艺参数的综合调整,制备出了膜厚均匀性好的SiO_(2)薄膜。

摘要： 本文主要研究了在蓝光LED芯片表面沉积一层氧化硅介质膜对蓝光LEO光电参数的影响.试验结果表明,沉积有氧化硅介质膜的芯片,其漏电比例明显低;同时沉积氧化硅介质膜对芯片亮度也有一定程度的提高,而不影响芯片的其他光电性能。

摘要： 本文主要研究了在蓝光LED芯片表面沉积一层氧化硅介质膜对蓝光LEO光电参数的影响.试验结果表明,沉积有氧化硅介质膜的芯片,其漏电比例明显低;同时沉积氧化硅介质膜对芯片亮度也有一定程度的提高,而不影响芯片的其他光电性能。

摘要： 本文主要研究了在蓝光LED芯片表面沉积一层氧化硅介质膜对蓝光LEO光电参数的影响.试验结果表明,沉积有氧化硅介质膜的芯片,其漏电比例明显低;同时沉积氧化硅介质膜对芯片亮度也有一定程度的提高,而不影响芯片的其他光电性能。

摘要： 本文主要研究了在蓝光LED芯片表面沉积一层氧化硅介质膜对蓝光LEO光电参数的影响.试验结果表明,沉积有氧化硅介质膜的芯片,其漏电比例明显低;同时沉积氧化硅介质膜对芯片亮度也有一定程度的提高,而不影响芯片的其他光电性能。

摘要： 本文主要研究了在蓝光LED芯片表面沉积一层氧化硅介质膜对蓝光LEO光电参数的影响.试验结果表明,沉积有氧化硅介质膜的芯片,其漏电比例明显低;同时沉积氧化硅介质膜对芯片亮度也有一定程度的提高,而不影响芯片的其他光电性能。

摘要： 本文主要研究了在蓝光LED芯片表面沉积一层氧化硅介质膜对蓝光LEO光电参数的影响.试验结果表明,沉积有氧化硅介质膜的芯片,其漏电比例明显低;同时沉积氧化硅介质膜对芯片亮度也有一定程度的提高,而不影响芯片的其他光电性能。

摘要： 本文对串口通信技术进行了研究,利用Windows API函数设计实现了串口库,并将其应用到化学气相沉积设备PECVD控制系统中,取得了良好的效果.

摘要： 本文对串口通信技术进行了研究,利用Windows API函数设计实现了串口库,并将其应用到化学气相沉积设备PECVD控制系统中,取得了良好的效果.

摘要： 本文对串口通信技术进行了研究,利用Windows API函数设计实现了串口库,并将其应用到化学气相沉积设备PECVD控制系统中,取得了良好的效果.

摘要： 本文对串口通信技术进行了研究,利用Windows API函数设计实现了串口库,并将其应用到化学气相沉积设备PECVD控制系统中,取得了良好的效果.

摘要： 本发明公开了管式PECVD设备的进出舟装置及管式PECVD设备，装置包括支撑架、传送导轨部分和动力部分，传送导轨部分包括承载载料舟的托盘、炉外托盘导轨、炉内托盘导轨和固定导轨，固定导轨的两端支撑在支撑架上，炉外托盘导轨可移动的设于固定导轨上，托盘可移动的设于炉外托盘导轨上，炉内托盘导轨设于炉体反应室内，动力系统包括托盘导轨推动驱动和托盘推动驱动，托盘导轨推动驱动用于驱动炉外托盘导轨移动以便与炉内托盘导轨对接，托盘推动驱动用于驱动托盘从炉外托盘导轨移动至炉内托盘导轨上。设备包括炉体和炉门系统，炉体内设有反应室，还包括上述的进出舟装置。本发明具有结构稳定、不会发生变形以及缩短取放舟时间的优点。

摘要： 本发明公开了一种PECVD设备的加热系统、加热控制方法及PECVD设备。加热系统包括炉体和半导体加热单元，炉体包括炉壳、炉体保温层、炉丝、反应管和媒介管道，半导体加热单元的热端设有热媒输出管和热媒输入管且冷端设有冷媒输出管和冷媒输入管，媒介管道设于炉丝与反应管之间，热媒输出管和热媒输入管分别与媒介管道的两端连接，冷媒输出管和冷媒输入管分别与媒介管道的两端连接。方法包括一次镀膜、主动降温、二次镀膜，利用半导体冷端冷媒主动对反应管吸热降温。设备包括预热箱和上述加热系统，预热箱内设有第一热媒管道，其两端分别与热媒输出管和热媒输入管连接。本发明采用半导体一个热源实现多种加热循环回路和多种冷却循环回路。

摘要： 本发明提供PECVD设备及其所用的PECVD镀膜方法。该PECVD设备包括：外腔；设置在外腔内的内腔上盖；滚轮模块，其设置在外腔内并位于内腔上盖下方，其包括多个滚轮组、驱动多个滚轮组升降以在托盘接送位和托盘封闭位之间移动的第一驱动模块、驱动多个滚轮组转动从而驱动托盘水平移动的第二驱动模块；以及控制模块，其配置成控制第二驱动模块驱动多个滚轮组在托盘接送位接收水平送入外腔的托盘并将其水平传送到位，并在到位后控制第一驱动模块向上驱动多个滚轮组使其进入托盘封闭位而顶推其所支撑的托盘在边缘处与内腔上盖相压靠，从而形成由内腔上盖和托盘构成的、用于进行PECVD成膜工艺的内腔。本发明能提高成膜质量、传送速度，并能降低设备故障率和成本。

摘要： 本实用新型公开了一种PECVD沉积腔体和PECVD沉积装置，所述主体一侧设有所述电动机，所述电动机固定连接所述旋转杆，所述旋转杆的一端转动连接所述第一连接杆的一端，所述第一连接杆的另一端转动连接所述第一沉积腔体，所述主体内部设有所述支架，所述主体一侧设有所述密封阀门，所述密封阀门固定连接所述真空机，所述主体顶部设有所述气体扩散器，所述气体扩散器固定连接所述气管的一端，所述气管的另一端固定连接所述化学气瓶，本实用新型通过转动旋转杆与连接联动第一沉积腔体与第二沉积腔体，实现对基片的翻转，使得基片在沉积时效果更均匀，同时沉积腔体内部采用弧形槽设计，使得上表面与下表面温度误差不会太大，同时加强了效率。

摘要： 本实用新型公开了一种用于PECVD设备的石墨舟及PECVD设备，用于PECVD设备的石墨舟包括：炉口石墨舟组，炉口石墨舟组左边的前端上下分别设有第一炉口电极和第二炉口电极，炉口石墨舟组左边的后端上下分别设有第三炉口电极和第四炉口电极，炉口石墨舟组的右边上下分别设有第五炉口电极和第六炉口电极，炉口石墨舟组右边的后端上下分别第七炉口电极和第八炉口电极；第四炉口电极和第六炉口电极输入正电极电流，第二炉口电极和第八炉口电极输入负电极电流；炉尾石墨舟组，炉尾石墨舟组连接于炉口石墨舟组；绝缘组件，绝缘组件设置于炉口石墨舟组的中间。本实用新型将正负极结构设置于炉口位置，且正负电极输入结构位于同一炉口侧，则电极结构维护方便快捷。

摘要： 一种PECVD炉及PECVD沉积系统，属于光伏装备技术领域。PECVD沉积系统包括PECVD炉、抽真空组件和供气组件。其中，PECVD炉中的炉管包括石英炉管和套设在石英炉管内的不锈钢炉管。且不锈钢炉管的内壁设置有绝缘层，用于形成沉积区域。在内壁设置有绝缘层的不锈钢炉管内进行离子体增强化学气相沉积工艺，当不锈钢炉管的温度降低时，硅的化合物等结晶附着在不锈钢炉管的内壁。由于不锈钢炉管具有较好的韧性，能够减小炉管破裂的几率，进而提高炉管的寿命。

摘要： 本申请提供一种PECVD反应炉及PECVD反应系统，涉及光伏领域。PECVD反应炉包括石英管、第一加热组件以及第二加热组件，石英管设有进气口以及出气口；第一加热组件围设于石英管的外周；第二加热组件设置于石英管内，第二加热组件具有环形加热部，环形加热部的轴线与石英管的轴线平行或重合。上述设置可使石墨舟穿设于环形加热部，缩短加热源与石墨舟的距离，便于快速且精准的直接加热石墨舟以及石墨舟内的硅片，有利于均匀加热石墨舟以获得厚度均匀的镀膜，并且上述设置可直接在现行的PECVD反应炉内直接添加第二加热组件，便于改造且改造成本低。

摘要： 本实用新型公开了用于PECVD反应室的辅助加热装置及PECVD反应室。辅助加热装置包括绝缘封头、保护管和辅助加热丝，所述绝缘封头设于反应室一端端部的外侧，且绝缘封头与反应室的端部之间具有密封结构，所述反应室一端端部的内侧设有内安装套，所述保护管设于反应室内，且保护管的一端套在所述内安装套内，所述辅助加热丝设于保护管内，且辅助加热丝的引线穿设在绝缘封头上。反应室采用上述的辅助加热装置。本实用新型保护管不需要参于密封，仅用于保护辅助加热丝不直接暴露在高温等离子体气氛中，安装方式简单，易于更换，简化了辅助加热装置的制备过程和PECVD反应室的设计的用于PECVD反应室。

摘要： 本实用新型涉及化学气相沉积技术领域，具体公开了一种PECVD射频电极通断切换系统，该PECVD射频电极通断切换系统包括静触端、动触端和驱动件，动触端和静触端中的一个与射频电极片连接，另一个与馈入电极连接，动触端具有间隔设置的第一位置和第二位置，驱动件与动触端连接，以驱动动触端在第一位置和第二位置之间切换。当动触端位于第一位置时，动触端与静触端面接触，此时，射频电极片与馈入电极导通，由于动触端与静触端面接触，因而能够保证动触端和静触端具有较大的接触面积，保证接触良好；当动触端位于第二位置时，动触端与静触端分离，此时，射频电极片与馈入电极断开。

摘要： 本实用新型涉及化学气相沉积技术领域，具体公开了一种PECVD射频馈入电极系统及PECVD装置，该PECVD射频馈入电极系统包括射频电极片、第一电极、第二电极和两个通断控制组件，第一电极与第二电极的沿延伸方向呈夹角设置；通断控制组件包括静触端、动触端和驱动件，两个静触端均与射频电极片连接，且两个动触端分别与第一电极和第二电极连接，驱动件驱动动触端在第一位置和第二位置之间切换，可实现动触端与静触端连接或分离，因此通过对两个通断控制组件的动触端与静触端进行控制，无需拆装，即可使射频电极片与不同延伸方向第一电极或第二电极的单独连通，可有效提高工作效率。