首页> 中文期刊> 《工业和信息化教育》 >美光和英特尔率先利用25nm硅工艺技术推出3-bit-per-cell NAND闪存

美光和英特尔率先利用25nm硅工艺技术推出3-bit-per-cell NAND闪存

         

摘要

美光科技公司(Micron)和英特尔公司(Intel)联合推出25nm工艺的3-bit-per-cell(3bpc)NAND闪存,该NAND设备拥有业界最大的容量和最小的尺寸。两家公司已将初始产品样品送到部分客户手中。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号