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孙帅; 宋华平; 杨军伟; 王文军; 屈红霞; 简基康;
广东工业大学物理与光电工程学院;
松山湖材料实验室;
中国科学院物理研究所功能晶体研究与应用中心;
碳化硅; 腐蚀; 位错; 缺陷表征; 鼓泡器; 腐蚀速率;
机译:6H n碳化硅(SiC)单晶的熔融KOH蚀刻中的微管和缺陷研究
机译:利用熔融碳酸盐腐蚀从碳化硅惰性基质中分离出氧化oxide核代用品的可行性
机译:利用计算流体力学改善固定床干燥机中的空气分配。
机译:熔融KOH腐蚀#alpha#-SiC单晶的动力学
机译:基于熔融ZnCl2的盐系统暴露于熔融ZnCl2的商业镍的腐蚀腐蚀
机译:利用射频溅射制备的UV /臭氧处理改善了氧化镓/ P-EPI碳化硅静态静态晶体管的电气特性
机译:Ti3AlC2在700°C的熔融KOH中的腐蚀行为
机译:非氧化物结构陶瓷腐蚀的基础研究。第1卷。单晶碳化硅和第2卷,化学气相沉积的氮化硅。最终报告1985年1月1日至1988年6月30日
机译:单晶碳化硅种子结晶的液相生成方法,单晶碳化硅种子结晶,单晶碳化硅种子结晶液相,液相结晶生成方法,单晶硅酸盐,单晶硅酸盐,单晶硅酸盐基质和单晶碳化硅种子晶体基质
机译:用埋入式绝缘层制造单晶碳化硅衬底的方法及其制造设备,以改善单晶碳化硅薄膜和埋入式绝缘层之间的界面平面化
机译:单晶碳化硅衬底的表面改性方法,单晶碳化硅薄膜的形成方法,单晶碳化硅衬底和离子注入退火方法,单晶碳化硅半导体衬底
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