高电流增益SiC BMFET功率特性的优化研究

张林; 谷文萍; 徐小波; 李清华; 高云霞; 胡笑钏

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高电流增益SiC BMFET功率特性的优化研究

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研究了栅电流及结构参数对SiC双极模式场效应晶体管(BMFET)功率特性的影响。仿真研究的结果表明,SiC BMFET器件的开态电阻和电流增益都会随着栅电流的上升而显著下降。沟道掺杂浓度越低,沟道宽度越窄,双极模式调制器件开态电阻的效果越明显,但同时电流增益会降低。相比于单极模式SiC结型场效应晶体管(JFET),SiC BMFET可以显著提升器件的FOM优值,降低器件功率特性对结构参数的敏感度,同时降低了常关型器件的设计难度。

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来源
《微电子学》 |2016年第4期|558-561|共4页
作者
张林; 谷文萍; 徐小波; 李清华; 高云霞; 胡笑钏;
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作者单位

长安大学电子与控制工程学院;

长安大学道路交通检测与装备工程技术研究中心;

西安710064;

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正文语种 chi
中图分类场效应器件;
关键词
碳化硅; 双极模式场效应晶体管; 电流增益;

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