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基于CSP工艺一段式脱碳退火对取向硅钢初次再结晶晶界特征的影响

         

摘要

利用背散射衍射技术(EBSD),在一段式840℃不同时间脱碳退火条件下,研究了基于CSP工艺取向硅钢初次再结晶过程中的组织和结构变化。结果表明,在初次再结晶退火时间为4 min时织构类型较多,分别为{332}、{554}、{111}、{001}、{111}、{001}、{110}、{110}、{112}、{110}、{112}、{012}和{111}等。当初次再结晶退火时间延长为5 min时,{111}取向晶粒数量明显增多,而{332}和{012}取向晶粒比例下降。同时Σ3、Σ5和Σ9晶界比例升高,小角度晶界比例较少,而大角度晶界比例较多,这将有助于在二次再结晶退火时发生高斯织构。继续延长退火时间到6 min以后,Σ3、Σ5和Σ9晶界比例下降,小角度晶界比例提高,此时再结晶晶粒长大。

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