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低剂量长期砷暴露对HaCat细胞增殖及凋亡水平的影响

         

摘要

目的探讨低剂量长期砷暴露对HaCat细胞增殖及凋亡水平的影响。方法 HaCat细胞暴露于浓度为0、0.05、0.10μmol/L的NaAsO215周后,用直接细胞计数法计数对照组及染砷组细胞数,检测细胞增殖水平;用流式细胞仪测定10 000个细胞的细胞凋亡发生水平。结果各染砷组细胞增殖速率与对照组相比均显著增高(P<0.05),且0.10μmol/L组细胞增殖率(245.00±8.66)%显著高于0.05μmol/L组(165.00±15.00)%(P<0.05),细胞增殖水平与染砷剂量间呈显著剂量-效应关系;0.05μmol/L组(0.28±0.08)%及0.10μmol/L组(0.34±0.09)%细胞凋亡率均明显低于对照组(0.74±0.18)%(P<0.05)。结论长期低剂量砷暴露可使HaCat细胞的增殖能力明显增强,并诱导细胞凋亡率显著降低。

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