功率AlGaN/GaN肖特基二极管结构优化设计

徐儒; 郭伟玲; 孙晓; 陈艳芳; 李松宇; 邹德恕; 孙捷

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功率AlGaN/GaN肖特基二极管结构优化设计

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利用Silvaco-ATLAS软件设计了AlGaN/GaN肖特基二极管(SBD)的基本结构,主要针对功率器件的关键参数—击穿电压进行仿真模拟,分析对比了AlGaN/GaN异质结中Al的组分、二极管阳极与阴极的间距Lac、场板的引入和长度以及FP结构下钝化层Si3N4的厚度t对二极管击穿特性的影响。结果显示,Lac的增加、场板的引入和FP结构下钝化层厚度t的变化均对二极管的击穿特性有所优化,但同时,Al组分的增加和Lac的增加对二极管引入了不同程度的负面影响。仿真结果对器件的实际制作具有一定的指导意义。

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来源
《微电子学》 |2016年第4期|553-557|共5页
作者
徐儒; 郭伟玲; 孙晓; 陈艳芳; 李松宇; 邹德恕; 孙捷;
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作者单位

北京工业大学光电子技术教育部重点实验室;

北京100124;

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正文语种 chi
中图分类 TN311.7;TN313.4;
关键词
AlGaN/GaN肖特基二极管; 击穿特性; 结构优化;

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