Geant4模拟δ电子对单粒子翻转的影响

刘建德; 孙友梅; 刘杰; 侯明东; 张战刚; 段敬来; 姚会军; 翟鹏飞

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Geant4模拟δ电子对单粒子翻转的影响

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利用Geant4蒙特卡洛程序包,基于RPP(Rectangular ParallelePiped Volume)模型构建SRAM器件单元的灵敏体积,编写了重离子在器件材料中的输运程序和单粒子翻转截面计算方法,得到了简化器件结构的单粒子翻转截面σ与线性能量转移LET的关系曲线,计算得到的翻转LET阈值和饱和截面与实验结果基本一致。模拟获得了LET值为99.69MeV/(cm-2.mg)的Bi离子及LET值为69MeV/(cm-2.mg)的Bi离子和Xe离子在器件材料中产生的δ电子分布图像,讨论了δ电子分布对翻转截面的影响。计算了灵敏体积中能量沉积与δ电子分布的关系,认为δ电子分布对单粒子效应的影响随着器件的特征尺寸减小将更加严重。

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来源
《原子核物理评论》 |2012年第4期|419-424|共6页
作者
刘建德; 孙友梅; 刘杰; 侯明东; 张战刚; 段敬来; 姚会军; 翟鹏飞;
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作者单位

中国科学院近代物理研究所;

甘肃兰州730000;

中国科学院研究生院;

北京100049;

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正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
Geant4; RPP模型; 灵敏体积; 单粒子翻转; δ电子;

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