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刘有明; 张俊英;
广州电子技术研究所;
机译:浮区法生长的Na_(0.5)K_(0.5)NbO_3和Mn掺杂的Na_(0.5)K_(0.5)NbO_3晶体的晶体生长和铁电性能
机译:三阶非线性材料双甘氨酸一水合溴化锂晶体的晶体生长,结构,光学,机械和热性能
机译:光电加热浮区技术通过浮区技术生长金属晶体
机译:通过振动控制热毛细管对流和浮区生长晶体的均匀性。
机译:过氧化锂晶体簇是Li–O2电池放电产物的自然生长特征
机译:锂二异丙基酰胺介导的1,4-双(三氟甲基)苯下的晶体锂的机理:条件依赖性速率限制和氯化锂催化抑制作用
机译:硅浮区晶体生长作为研究缺陷和杂质的工具
机译:根据浮带法生产单晶,包括加热晶体原料棒形成浮带,将浮带从底部移动到顶部,以使单晶锭生长在浮带下方。
机译:用于控制晶体生长过程的方法和用于自动控制晶体生长过程的设备
机译:通过具有种子,核心区生长和主区生长的浮区工艺生产硅半导体晶体,涉及在工艺期间改变生长室中的压力
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