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提拉法生长大尺寸氟化锂单晶体的研究

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摘要

介绍了在真空下用引上法（ＣＺ）生长氟化锂（ＬｉＦ）单晶体的一些情况。采用该方法生长出的晶体，其单晶率优于坩埚下降法（ＢＧ），晶体的质量和利用率大幅度提高。

著录项

来源
《光学仪器》 |1995年第3期|12-15|共4页
作者
孔宝国; 陈瑞芳;
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作者单位

不详;

不详;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类 TN304.053;
关键词
温度梯度; 生长; 旋转; 降温速率; 氟化锂; 光学晶体;

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