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关于ALxGa1-xAs液相外延层的生长厚度与组分变化

         

摘要

本文用有限差分法处理了扩散控制模型;计算了在近平衡生长下掺 Sn 和Ge 的 AlxG1-xAs 液相外延层的生长厚度与生长时间的关系;以及外延层中的组分变情形。推导出了分凝系数 K《1的杂质元素在外延层中分布的公式。

著录项

  • 来源
    《人工晶体学报》 |1985年第1期|15-21|共7页
  • 作者

    范小宝; 赵慕愚; 徐宝琨;

  • 作者单位

    吉林大学电子科学系长春;

    吉林大学电子科学系长春;

    吉林大学电子科学系长春;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
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