＜正＞ TN364.2 98053323硅光敏管内量子效率与硅的能带结构=Quantumefficiency in silicon photodiode and band struc—ture of silicon[刊,中]/胡东红,张玲,张明（湖北大学物理系。湖北,武汉（430062））∥光电子技术.—1997,17（2）.—98—101讨论了硅光敏管内量子效率与硅的能带结构、硅的光吸收系数的关系,认为在硅光敏管PN结实现100%收集载流子的情况下,内量子效率曲线在一定程度上反映了硅的能带结构、能态密度。图4参4（严寒）
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