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＜正＞ TN29 96010452GeSi波导探测器中的光吸收=Light absorptionin GeSi waveguide detectors[会,中]/刘育梁,王启明（集成光电子国家重点联合实验室吉林大学实验区）∥第六届纤维光学集成光学学术会议。—成都,94.10该探测器的光吸收层为Si/GexSi1-x组成的多量子阱结构。由于应变层临界度的限制,Ge含量X和吸收层厚度H是相互制约的。一般的,为了加强光吸收,总是尽可能地提高Ge含量,从而使H变得相当小。但

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《中国光学(中英文)》 |1996年第1期|65-67|共3页
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正文语种 chi
中图分类光波导;
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