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李明祥; 童勤义; 庄庆德;
南京工学院微电子中心;
机译:低至CMOS兼容温度的Si衬底上GaAs纳米线的液滴限制交替脉冲外延。
机译:在标准Si(511)和兼容SOI(511)上生长的GaAs的比较
机译:与GaAs的非合金Al欧姆接触以实现GaAs / Si互连兼容性
机译:GaAs-on-Si(001)中的反相域边界能量研究
机译:基于GaAs的集成无源器件技术的具有空桥结构的高频兼容小型带通滤波器
机译:一种高频兼容的小型化带通滤波器,采用基于GAAS的集成无源器件技术的空气桥结构
机译:利用Gesi缓冲器通过mBE在si上实现高质量Gaas生长和空间光伏技术的发展前景
机译:掺Si的GaAs单晶锭及其制造方法,以及由掺Si的GaAs单晶锭制成的掺Si的GaAs单晶晶片
机译:Si掺杂GaAs单晶锭及其制造方法,以及由Si掺杂GaAs单晶锭制成的Si掺杂GaAs单晶晶片
机译:掺Si的GaAs单晶硅片及其制备方法,以及掺Si的GaAs单晶硅片由Si掺杂的GaAs单晶硅片制成
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