512字250ns随机存贮器

首页> 中文期刊> 《微电子学与计算机》 >512字250ns随机存贮器

512字250ns随机存贮器

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

＜正＞一、概况: 这里介绍的是一台1970年开始研制的MOS和双极性混合使用的高速缓冲存贮器。其读写周期T≤250ns,容量为512,字长48位,存贮单元用MOS集成电路,而读写、驱动等外围电路则采用双极型集成电路。我们用的MOS存贮元件是上无十四厂生产的静态P沟铝栅增强型,集成度为4×4。外围电路则是由上无七厂等单位生产的。每一存贮单元由六只MOS管子组成,如图1所示。其特点是工艺简单,但速度慢。用这种P沟铝栅工艺做全MOS存贮器,要实现读写周期T≤250ns是困难的,因此,我们根据当时的工艺条件和生产的可能,选择了MOS双极性混合使用的方案,以实现高速。

著录项

来源
《微电子学与计算机》 |1977年第4期|11-19|共9页
作者

展开▼
作者单位

四机部1910所三室MOS存贮器小组;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类
关键词

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 推动IT产品新革命——磁性随机存贮器技术的展望 [J] . 黎明 . 计算机 . 2001,第10期
2. 复合结构随机存贮器校验 [J] . 高亚辉 ,张爱民 . 河南城建高等专科学校学报 . 1998,第2期
3. 双端口随机存贮器在多参数快速数据采集中的应用 [J] . 宋立新 ,费正生 . 哈尔滨电工学院学报 . 1994,第4期
4. 用随机存贮器构成的相关处理器电路 [J] . 赵建生 . 电讯技术 . 1993,第1期
5. 用MISS实现静态随机存取存贮器的研究 [J] . 沈伟良 ,刘君华 . 西安交通大学学报 . 1991,第1期
6. 薄膜存贮器的现况和展望 [C] . 华中一 . 中国真空学会第五届学术会议 . 1998
7. 高速低耗BICMOS存贮器（Memory）的设计与仿真研究 [A] . 祝俊 . 2005

512字250ns随机存贮器

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅