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采用离子注入技术的N沟E/D型MAOS集成电路

         

摘要

本文描述了一种采用离子注入工艺的Al栅N沟E/D型MAOSFET电路。采用等效厚度方法计算有效注入剂量。为了估计性能,制备了应用自对准技术的11级增强型驱动/耗尽型负载的环形振荡器。测得3.8μm有效沟道长度的反相级的平均传输延迟为1.3nS。

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