取数时间100ns的小型4k CMOS静态RAM

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＜正＞ Harris公司半导体部通过缩小单元尺寸、并把4μm的工艺改为2.5μm的工艺,把它的4k×1位CMOS RAM（HM6504）的取数时间从200ns缩短到100ns。而且,其改进型（HM6504B）能够在整个军用温度范围内（-55～+125℃）提供这样快的取数速度。Harris公司相信,同步操作

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《微电子学与计算机》 |1983年第1期|28-28|共1页
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