光刻点滴

张礼德

首页> 中文期刊> 《微电子学与计算机》 >光刻点滴

光刻点滴

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

＜正＞ —、光刻的最小线宽在集成电路制造中,光刻的最小线宽如下:（1）接触、接近式光刻（1）Wmn≈（?）式中,Wmin为最小线宽;λ为曝光光源波长.z 为掩模和胶底（即胶和衬底界面）之间的距离.（单位均为μm）.（2）投影光刻Wmin=β（λ）/（NA）（2）式中.NA 为光学系统的数字孔径;β为经验常数,它由所用的胶和光刻工艺容差决定.一般在0.5-1.0之间.若按经典

著录项

来源
《微电子学与计算机》 |1987年第4期|25-25|共1页
作者
张礼德;
展开▼
作者单位

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类
关键词

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 2009～2014年全球光刻技术,光刻机及其他光刻系统展望 [J] . ICON Group International . 电子工业专用设备 . 2010,第3期
2. 光刻机镜头漏光对光刻工艺的影响 [J] . 梁宗文 ,石浩 ,王雯洁 . 电子与封装 . 2023,第4期
3. 共价键合光致产酸剂的单分子树脂光刻胶:合成及光刻性能 [J] . 张卫杰 ,陈金平 ,于天君 . 影像科学与光化学 . 2022,第2期
4. 负性黑色光刻胶光刻工艺参数的优化研究 [J] . 王岩 ,李杰欣 ,杨亮 . 材料科学 . 2022,第4期
5. TFT-LCD四次光刻工艺中的光刻胶剩余量 [J] . 蒋雷 ,黄学勇 ,刘良军 . 液晶与显示 . 2021,第2期
6. 光刻胶和光刻技术在非集成电路(IC)领域的应用 [C] . 邹应全 ,庞玉莲 ,杨玉春 . 中国感光学会2016年学术年会暨第九届四次理事会 . 2016
7. 美罗培南优化两步点滴法中不同点滴模型药代动力学/药效动力学参数比较——随机、盲法、平行对照临床试验 [A] . 沈惠峰 . 2012

光刻点滴

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅