六管单元高速低功耗4k静态CMOS-RAM的设计（摘要）

高保嘉

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＜正＞为了获得低功耗性能,将时钟CMOS电路用于读放电路和位线负载电路。六管单元和特别的读出放大器,使器件能在2.5V下稳定工作。该电路的另一别点是和TTL及I~2L电路相容。采用了N阱CMOS工艺,理由是:（1）N阱CMOS工艺和NMOS工艺相容;（2）在CMOS存贮器中,大约70%左右的器件是NMOS器件,因此,N阱CMOS工艺能保持在高阻衬底上制备高性能NMOS电路的优点,更充分发挥NMOS的优势.和P阱比较,阱的面积也大大减小了.采用了3μm的设计规则.为了保持两种器件有效沟道长度的平衡,两种器件的设计沟道长度分别为3μm和3.5μm,存贮单元面积为43×51μm.

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来源
《微电子学与计算机》 |1984年第6期||共页
作者
高保嘉;
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作者单位

骊山微电子学研究所;

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