新型GaAs FET的研究——在77°K低温下杂质散射减少,显示出高迁移率

王巧玉

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＜正＞未掺杂的GaAs和n型AlGaAs相接触,用栅极电场来控制在GaAs一侧产生的载流子,富士通研究所研制了这种场效应晶体管,其特点是,在77°K下电子迁移率的实测值高达37800cm~2V-1S-1。因此可望高速工作,但要以低温为前提。为什么低温时迁移率就上升了呢?影响迁移率的参量有晶格散射和杂质散射。如果温度上升,晶格振动就加剧,运动着的电子容易受振动着的晶格散射。如果温度降低,晶格振动就

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来源
《微电子学与计算机》 |1982年第1期|49-50|共2页
作者
王巧玉;
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