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砷离子通过SiO2层注入单晶硅剩余损伤的研究

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＜正＞一、前言在大规模集成电路的研究和生产过程中,砷离子注入技术得到了广泛的应用。因为砷的原子半径（较磷）更接近于硅,且有小于磷的扩散系数,更易形成浅结。在全离子注入的工艺中,主要是用来制作MOS器件的源和漏及双极器件的发射区。

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来源
《微电子学与计算机》 |1986年第12期||共页
作者
何树声; 张通和; 黄敞;
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作者单位

北京师范大学;

北京师范大学;

骊山微电子学研究所;

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