聚焦离子束无掩膜注入单晶硅离子浓度深度分布的研究

王蓓; 陈忠浩; 陆海纬; 宋云; 曹永明; 曾韡

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聚焦离子束无掩膜注入单晶硅离子浓度深度分布的研究

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摘要

随着聚焦离子束(focusedion beam,FIB)无掩膜微细加工能力的迅速发展,结合精确定位能力,FIB已成为新型且出色的纳米制造工具.对FIB无掩膜注入单晶硅衬底的注入效果与离子束流、注入剂量的关系进行研究发现,以固定能量注入的离子,当注入剂量恒定,离子浓度随深度的分布与离子束流大小无关;当离子束流恒定,注入离子的表面浓度随注入剂量的增加而增加,但是由于FIB注入的同时会刻蚀材料表面,注入剂量达到饱和值后,会造成材料一定程度的减薄.

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来源
《复旦学报：自然科学版》 |2007年第1期|96-99|共5页
作者
王蓓; 陈忠浩; 陆海纬; 宋云; 曹永明; 曾韡;
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作者单位

复旦大学材料科学系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类掺杂;
关键词
聚焦离子束; 无掩膜离子注入; 溅射; 刻蚀; 离子束流; 饱和剂量;

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