一种较好的MOSFET强度测试技术

Peter J·Carlson; 董小伍

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＜正＞为了克服存在于各种测试电路中共同的严重问题,我们已设计出一种测量电路强度的方法,这种方法对测试电路要求不高,而测量强度的方法与二极管dv/dt及di/dt的再生测试法相似。根据在设计和使用双极型功率晶体管方面的经验,我们自然要考虑（功率二次击穿）测试,作为驱动灵敏寄生双极型晶体管进入导通状态的一种手段。

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来源
《微电子学》 |1986年第6期|67-68|共2页
作者
Peter J·Carlson; 董小伍;
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