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P.Rossel; 刘光耀;
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机译:MOS耗尽型晶闸管:一种新型MOS控制的双极功率器件
机译:补偿器件与功率MOS和高速IGBT的比较-基于器件物理的应用指南
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:高温功率电子器件用碳化硅转换器和MEMS器件的评论
机译:用于功率mOs器件串联操作的栅极信号无变压器电容耦合
机译:功率mOs晶体管结构向小型器件领域的演变
机译:功率MOS晶体管器件和包括该功率MOS晶体管器件的开关装置
机译:作为具有涂料的MOS栅极功率器件上的MOS栅极功率器件
机译:用于功率MOS器件的集成结构电流检测电阻器,特别是用于过载自保护功率MOS器件
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