パワーMOS FETとIGBTの動作と特徴：MOSゲート·デバイスの構造を理解しよう

福持泰明; 森敏

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パワーMOS FETとIGBTの動作と特徴：MOSゲート·デバイスの構造を理解しよう

机译：功率MOS FET和IGBT的行为和功能：了解MOS栅极器件的结构

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パワーMOS FETはPower Metal Oxide SemiconductorField Effect Transistor の略です．回路図記号の例を図3-1に示します．パワーMOSFETの基本構造は1960年頃に開発され，70年代には縦型MOS FETが製品化されました．パワーMOS FETに求められる基本的な特性でぁる低オン抵抗，高耐圧，量産性を満たす素子の出現は80年代になりました．その後，20年の間に耐圧は数Ⅴ～1500V，電流は十数mA～数百A，外形はバンプからモジュール外形まで数千種類におよぶ製品が開発されています．

机译：功率MOS FET是功率金属氧化物半导体场效应晶体管的缩写。图3-1给出了电路图符号的示例。功率MOSFET的基本结构在1960年左右开发出来，垂直MOS FET在1970年代商业化。在1980年代，推出了满足功率MOS FET所需基本特性的器件，例如低导通电阻，高耐压和大批量生产。在接下来的20年中，已经开发出数千种产品，其耐压范围为几V至1500 V，电流为几十mA至几百A，外形从凸块到模块外形不等。

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来源
《トランジスタ技術》 |2003年第85suppla期|共15页
作者
福持泰明; 森敏;
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作者单位

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 jpn
中图分类半导体三极管（晶体管）;
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1. パワーMOS FETとIGBTの動作と特徴：MOSゲート·デバイスの構造を理解しよう [J] . 福持泰明, 森敏トランジスタ技術 . 2003,第85Suppla期

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