“介质隔离”中的黑槽

丁成玉; 刘迪刚; 赵忍才; 胡桂芬; 刘春敏; 赵喜太

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“介质隔离”中的黑槽

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＜正＞在“介质隔离”的反外延工艺中,有时在淀积多晶硅的过程中会形成较大的颗粒,致使在隔离槽里产生空洞。磨片显示之后,由于空洞处对光线是乱反射的,因此,在显微镜下观察,空洞处发黑,通常叫作“黑槽”。我们观察到黑槽有两类:1,“A类黑槽”,空洞从隔离氧化层开始,见图1（a）;2,“B类黑槽”,空洞发生在多晶硅的中间,见图1（b）。

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来源
《微电子学与计算机》 |1975年第2期|51-55|共5页
作者
丁成玉; 刘迪刚; 赵忍才; 胡桂芬; 刘春敏; 赵喜太;
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