MEMS兼容丝网印刷PZT压电厚膜研究

王蔚; 刘晓为; 莫冰; 王娟

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对丝网印刷PZT压电厚膜制备工艺浆料配置、印刷技术、退火条件、上下电极的选择及极化方法等进行了研究 ,并采用扫描电子显微镜 (SEM )及与之配套的能谱分析仪对制备的PZT样品的微观结构、成分进行了测试分析。结果表明 ,PZT压电厚膜的膜厚可达 10 0 μm ,印制图形分辨率在5 0 0 μm以上 ,在 80 0℃经 1h退火就可获得良好的微晶结构。

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来源
《微纳电子技术》 |2003年第7期|432-434|共3页
作者
王蔚; 刘晓为; 莫冰; 王娟;
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作者单位

哈尔滨工业大学MEMS中心;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类其他半导体材料;
关键词
MEMS; 丝网印刷; PZT; 压电厚膜; 制备工艺; 锆钛酸铅; 铁电材料;

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