Ge_2Sb_2Te_5薄膜相变的内耗

胡大治; 薛若时; 吕笑梅; 朱劲松

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Ge_2Sb_2Te_5薄膜相变的内耗

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采用脉冲激光沉积法在Si衬底制备了Ge2Sb2Te5合金薄膜,利用双端夹持音频簧振动技术在kHz范围内研究其由相变所引起的内耗谱,并通过电阻率测量加以验证.结果表明:在Ge2Sb2Te5薄膜的非晶相到立方相、立方相到六方相转变的温度范围内,出现了与相变有关的内耗峰P1和P2,其峰位置与升温速率有关且满足Kissinger关系;内耗峰P1和P2的相变激活能分别为(1.91±0.19)和(3.38±0.33)eV.

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来源
《上海交通大学学报》 |2010年第5期|662-664|共4页
作者
胡大治; 薛若时; 吕笑梅; 朱劲松;
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作者单位

南京大学固体微结构国家重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
Ge2Sb2Te5薄膜; 相变; 内耗;

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