MOCVD-InAs/GaSb DBR结构材料的特性研究

蒋红; 金亿鑫; 宋航; 缪国庆

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MOCVD-InAs/GaSb DBR结构材料的特性研究

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本研究采用MOCVD技术在GaSb衬底上制备InAs与GaSb交替生长层构成的分布布喇格反射镜(DBR)材料。由于InAs与GaSb材料晶格匹配良好,且折射率差较大,因此用这两种材料交替生长构成的DBR结构,在较低生长周期时即可获得较高的反射率。将其引入共振腔增强型红外探测器结构,做为共振腔的腔体,将大大改善器件性能,实现红外光的高灵敏度室温探测。根据多膜增反原理,膜层反射率随膜层周期增加而增加,理论计算结果显示InAs/GaSb DBR结构工作波长为2.4μm,周期为22时,膜层反射率即可高于80.11%。我们用扫描电子显微镜,X-ray射线衍射,反射光谱测量等分析手段,对InAs/GaSb DBR结构材料的物理性能进行表征。结果表明,我们已经成功获得高质量的晶格匹配的InAs、GaSb单晶薄膜,以及InAs/GaSb交替生长组成的不同周期的DBR结构材料。反射光谱测量显示,InAs/GaSb DBR反射率随膜层周期数增加而增加,当InAs/GaSb DBR周期数为22时,其反射率约为44.27%。

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来源
《人工晶体学报》 |2005年第6期|1030-1034|共5页
作者
蒋红; 金亿鑫; 宋航; 缪国庆;
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作者单位

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
MOCVD; 分布布喇格反射镜; 反射率;

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