首页> 中国专利> 多层嵌埋结构GaSb量子点材料的液相外延制备方法

多层嵌埋结构GaSb量子点材料的液相外延制备方法

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本发明公开了一种多层嵌埋结构GaSb量子点材料的液相外延制备方法。本发明包括在具有(100)取向的GaAs衬底上生长一层GaSb量子点材料，然后再生长一层GaAs盖帽层将GaSb量子点层钝化保护起来,重复上述周期结构三次以上，以形成多层嵌埋结构的GaSb量子点材料。本发明的优点是：其一采用的液相外延技术相比其他生长技术具有成本低廉，操作简便的优势；其二多层量子点结构相比单层量子点结构，其量子点PL发光性能大大改善，半峰宽减小，发光曲线光滑。

著录项

公开/公告号CN103681260A

专利类型发明专利
公开/公告日2014-03-26

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院上海技术物理研究所;
展开▼

申请/专利号CN201310590931.7
发明设计人胡淑红;邱锋;吕英飞;王洋;戴宁;
展开▼

申请日2013-11-21
分类号H01L21/208;
代理机构上海新天专利代理有限公司;
代理人郭英
地址 200083 上海市虹口区玉田路500号
入库时间 2023-12-17 01:24:36

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-11-09

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/208 申请公布日:20140326 申请日:20131121

发明专利申请公布后的视为撤回
2014-04-23

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/208 申请日:20131121

实质审查的生效
2014-03-26

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 多层嵌埋结构GaSb量子点材料的液相外延制备方法 [P] . 中国专利： CN103681260A . 2014-03-26
2. 一种用于单光子源的单量子点嵌埋光学微腔的制备方法 [P] . 中国专利： CN1327583C . 2007.07.18
3. ADHESIVE MATERIAL WITH MULTI-LAYER STRUCTURE COMPRISING QUANTUM DOT AND DISPLAY DEVICE USING SAME [P] . 韩国专利： KR20160081739A . 2016-07-08

机译：包含量子点和多层显示结构的多层结构胶粘材料
4. The preparation method multichamadas of material, multilayer material, Using prosthesis or bone or tooth structure. The composed structure for using and being implanted into bone of one multilayer material [P] . BR112014011260A8 . 2018-12-18

机译：材料的多层结构，多层材料的制备方法，使用假体或骨骼或牙齿结构。一种使用并植入一种多层材料的骨中的组合结构
5. Organic ligand and preparation method thereof, quantum dot structure material, quantum-dot-containing layer, and light emitting diode [P] . US10975014B2 . 2021-04-13

机译：有机配体及其制备方法，量子点结构材料，含量子点层和发光二极管