低氢PECVD氮化硅化学新工艺

D.L.Llamm; C.-P.Chang; D.E.Ibbotson; J.A.Mucha; 钟煌煌

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低氢PECVD氮化硅化学新工艺

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氮化硅一般可用作钝化涂层,中介绝缘层、光学器件的介电涂层,有时可用作栅介质层,一般的等离子体淀积氮化硅方法是用不同组分的SiH_4/NH_3/N_2和惰性气体载体淀积而成,但薄膜里含有高达30%(at.)的氢。从而在栅氧化层附近形成缺陷而引起MOS器件的不稳定。许多研究者认为这是由于氮化物里的Si-H键所引起的麻烦,因此必须努力减氢浓度,或者设法避免Si-H键的有害影响。少有关氟化无定形硅材料(α-Si)的文献指出,氟的掺入将增强薄膜的稳定性和减少悬挂键。Fujita等试图利用SiF_4SiF_2/N_2源以减少等离子体淀积氮化物的氢含量。但即使加入H_2,淀积速度也很低(100～150(?)/min)。

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来源
《微电子学与计算机》 |1989年第6期|37-38|共2页
作者
D.L.Llamm; C.-P.Chang; D.E.Ibbotson; J.A.Mucha; 钟煌煌;
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作者单位

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正文语种 chi
中图分类 TN304.24;
关键词
PECVD; 氮化硅; 化学工艺;

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