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掺稀土半导体光电特性和应用

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摘要

结合我们近年来在掺稀土硅基材料和Ⅲ Ⅴ族化合物半导体材料的发光研究,简述目前国际上在这方面研究的新进展。重点介绍掺铒硅基发光和掺稀土GaN发光材料和器件的研究结果。

著录项

来源
《中国稀土学报》 |2002年第6期|521-525|共5页
作者
陈维德; 陈长勇; 宋淑芳; 许振嘉;
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作者单位

中国科学院半导体所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体物理学;
关键词
半导体; 光电特性; 应用; 稀土元素; GaN; 硅基材料; 发光; 掺杂; 铒; 氮化镓;

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