外加氩气流下脉冲激光烧蚀制备纳米硅晶粒成核生长动力学研究

邓泽超; 王世俊; 丁学成; 褚立志; 梁伟华; 赵亚军; 陈金忠; 傅广生; 王英龙

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为研究纳米硅晶粒成核生长动力学过程,采用脉冲激光烧蚀(PLA)技术,在室温,50～200 Pa的氩气氛围中,通过引入垂直于烧蚀羽辉轴线的外加气流,在水平放置的衬底上沉积了一系列纳米Si晶薄膜。扫描电子显微镜(SEM)、拉曼(Raman)散射和X射线衍射(XRD)检测结果表明,未引入气流时,衬底上相同位置处晶粒尺寸随气体压强的增大逐渐减小;在距靶1～2 cm范围内引入气流后,尺寸变化规律与未引入气流时相反。通过分析晶粒尺寸及其在衬底上的位置分布特点,结合流体力学模型和热动力学方程,分析得出在激光能量密度一定的条件下,环境气体压强、烧蚀粒子温度和密度共同影响着纳米晶粒的成核生长。

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来源
《人工晶体学报》 |2012年第1期|188-192|共5页
作者
邓泽超; 王世俊; 丁学成; 褚立志; 梁伟华; 赵亚军; 陈金忠; 傅广生; 王英龙;
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作者单位

河北大学物理科学与技术学院;

河北省光电信息材料重点实验室;

保定071002;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类材料;
关键词
脉冲激光烧蚀; 硅纳米晶粒; 外加气流; 成核生长动力学;

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