电场条件下脉冲激光烧蚀制备纳米硅晶粒成核生长动力学研究

邓泽超; 胡自强; 丁学成; 褚立志; 秦爱丽; 傅广生; 王英龙

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在室温、10Pa氩气环境氛围中,引入垂直于烧蚀羽辉轴线的外加直流电场,采用脉冲激光烧蚀技术制备了一系列纳米硅晶薄膜,衬底分布于以烧蚀点为圆心的弧形支架上.扫描电子显微镜、喇曼散射谱和X射线衍射谱检测结果表明:晶粒平均尺寸随着电压的增加逐渐变大,且靠近接地极板处的晶粒尺寸比与之对称角度处的略大;薄膜中晶粒面密度随着电压的增加先减小后增大而后再减小.

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来源
《光子学报》 |2014年第12期|17-20|共4页
作者
邓泽超; 胡自强; 丁学成; 褚立志; 秦爱丽; 傅广生; 王英龙;
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作者单位

河北大学物理科学与技术学院、河北省光电信息材料重点实验室;

河北保定071002;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
纳米晶粒; 成核生长动力学; 脉冲激光烧蚀; 外加电场;

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