VHF-PECVD制备不同氢稀释条件下硅薄膜特性分析

张晓丹; 高艳涛; 赵颖; 朱锋; 魏长春; 孙建; 侯国付; 薛俊明; 张德坤; 任慧志; 耿新华; 熊绍珍

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本文集中报导了不同硅烷浓度条件下,制备的系列硅薄膜电学特性和结构特性的分析研究。结果表明:随着硅烷浓度的逐渐减小,材料逐渐地由非晶向微晶转变。傅立叶变换红外吸收 (FTIR)的测试结果表明:微晶硅材料存在着自然的不稳定性,表现为氧含量随着时间的推移而增多。而且,微结构因子(IR)的结果给出:对于适用于电池有源层的微晶硅材料来说,其IR不能太大,也不能太小,本实验中相对好的微晶硅材料其IR为 31%。

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来源
《人工晶体学报》 |2005年第1期|56-59|共5页
作者
张晓丹; 高艳涛; 赵颖; 朱锋; 魏长春; 孙建; 侯国付; 薛俊明; 张德坤; 任慧志; 耿新华; 熊绍珍;
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作者单位

南开大学光电子薄膜器件与技术研究所;

天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室;

光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学;

天津大学);

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类图论;材料;
关键词
硅材料; 硅薄膜; VHF-PECVD; 有源层; 微晶; 晶向; 电学特性; 度条件; 因子; 不稳定性;

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