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张湘辉; 汪灵; 龙剑平; 常嗣和;
成都理工大学材料与化学化工学院;
成都理工大学金刚石薄膜实验室;
金刚石薄膜; 晶体特征; 直流弧光放电等离子体CVD;
机译:氩气中氩常规氩原子的辐射杂质在氩气直流放电放电中的径向分布对氮杂质的影响
机译:氮气-氩气和氧气-氩气混合物中直流脉冲放电条件下的聚苯乙烯薄膜处理
机译:阴极温度对DC-PCVD工艺中气体放电和金刚石膜生长的影响
机译:通过DC-PCVD将硼掺杂金刚石薄膜合成掺杂金刚石薄膜
机译:氩气中直流辉光放电的数学模型。
机译:射频直流和射频叠加直流磁控溅射沉积的透明导电掺铝ZnO多晶薄膜的载流子输运和晶体学取向特征
机译:六甲基二硅氧烷混合物对薄膜沉积氩气介电阻挡放电放电特性的影响
机译:金刚石生长直流放电中的CH3和CH密度
机译:栅绝缘层由类金刚石碳和所使用的薄膜晶体管以及制造栅绝缘层和薄膜晶体管的方法形成。
机译:高温高压条件下激光烧蚀结合高压放电等离子体CVD形成金刚石薄膜的方法及金刚石块的制造方法
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