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戴中华; 姚熹; 徐卓; 冯玉军; 王军;
西安交通大学;
等静压; 极化; 频率弥散; PLZST陶瓷;
机译:静水压力下PbLa(Zr,Sn,Ti)O3 sub>反铁电陶瓷的相变和介电性能
机译:静水压力下PbLa(Zr,Sn,Ti)O {sub} 3反铁电陶瓷的相变和介电性能
机译:铁电-反电相界附近的PbLa(Zr,Sn,Ti)O_3陶瓷的性能
机译:无铅介电和结构行为的研究(BA_(1-X)CA_X)(ZR_(0.05)TI_(0.95))O_3陶瓷
机译:晶粒尺寸对锆钛酸铅基陶瓷的相变相界附近的成分的介电和压电性能有影响。
机译:相变和微观结构对Bi0.5Na0.5Zr1-xTixO3陶瓷介电性能的影响
机译:低温烧结的微观结构和介电性能(Ba0.86Ca0.14)(Ti0.85ZR0.12sn0.03)O3System陶瓷
机译:pb(Zr(0.95)Ti(0.05))O(3)211基陶瓷的介电性能和脱模特性:近临界晶粒尺寸行为
机译:具有(PB,LA)(ZR,TI)O.SUB.3和BATIO.SUB.3介电性能的陶瓷电容器
机译:MG2MM'O6 + X,(M = Y,LA或稀土金属,M'= SN,SB,ZR和TA)介电陶瓷
机译:Mg2MM'o 6 + x,(M = Y,稀土金属,M'= SN,或Zr)介电陶瓷
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