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郑琼娜; 杨同青; 魏坤; 姚熹;
同济大学,功能材料研究所,上海,200092;
PZST; 反铁电; 电致应变; 场诱相变;
机译:成分变化对(Pb,La)(Zr,Sn,Ti)O_3反铁电陶瓷场致相变的影响
机译:Pb(Nb,Zr,Sn,Ti)O_3和(Pb,La)(Zr,Sn,Ti)O_3反铁电薄膜的相变和电场可调热释电行为
机译:Pb_(0.97)La_(0.02)(Zr_(0.75)Sn_(0.15)Ti_(0.10))O_3反铁电陶瓷的温度感应相变开关电流
机译:#6226脉冲电场引起的La掺杂Pb(Zr,Sn,Ti)O / sub 3 /反铁电陶瓷的相变行为
机译:La0.7Sr0.3MnO 3 / PbZr0.2Ti0.8O3异质结构的同步加速研究。
机译:Y2O3涂层(Pb0.92Sr0.05La0.02)(Zr0.7Sn0.25Ti0.05)O3陶瓷中的类似反铁电性及其储能性能
机译:通过热压烧结法制造的0.5pbO-0.5b2O3玻璃添加0.5pbO-0.5b2O3玻璃加入对Pb0.87ba0.1la0.02(Zr0.68sn0.26ti0.06)O3防铁电陶瓷的影响
机译:基于pb(Zr0.95Ti0.05)O3铁电陶瓷横向冲击波消偏振的微型100kV爆炸驱动主电源
机译:制备溶液衍生的(Pb,La)(Nb,Sn,Zr,Ti)O的方法。 sub.3薄膜和粉末
机译:超导材料Ba1-sub(x.1-w.w)CuO。 sub.z(γ= Ti,Zr,Hf,Si,Ge,Sn,Pb或Mn)及其制备方法
机译:A站点和/或B站点修改的PBZRTIO3材料和(PB,SR,CA,BA,MG)(ZR,TI,NB,TA)O3膜可在铁电随机访问存储器和高性能薄膜微执行器中使用
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