4H-SiC同质外延层的质量表征

李佳; 冯志宏; 陈昊; 蔡树军

首页> 中文期刊> 《微纳电子技术》 >4H-SiC同质外延层的质量表征

4H-SiC同质外延层的质量表征

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

在高纯半绝缘4H-SiC偏8°衬底上同质外延生长了高质量的外延层,利用X射线双晶衍射、原子力显微镜(AFM)、汞探针C-V以及霍尔效应等测试方法,对样品的结晶质量、表面粗糙度、掺杂浓度以及电子迁移率进行了分析测试,证实外延层的结晶质量相对于衬底有着很大的改善。在同质外延7.5μm的外延层后,其半高宽从衬底的30.55arcsec减小到27.85arcsec;外延层表面10μm×10μm的粗糙度(RMS)为0.271nm;室温下,样品的掺杂浓度为1×1015cm-3时,霍尔迁移率高达987cm2/(V.s);浓度为1.5×1016cm-3时,霍尔迁移率为821cm2/(V.s)。77K时,霍耳迁移率分别为1.82×104cm2/(V.s)和1.29×104cm2/(V.s)。掺杂浓度的汞探针C-V测试结果与霍尔效应的实验数据一致。

著录项

来源
《微纳电子技术》 |2009年第9期|535-539|共5页
作者
李佳; 冯志宏; 陈昊; 蔡树军;
展开▼
作者单位

专用集成电路国家级重点实验室;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.24;TN304.054;
关键词
4H-SiC; XRD; AFM; 同质外延; 汞探针C-V; 迁移率;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 偏4°4H-SiC同质外延层上新形貌三角形缺陷研究 [J] . 胡继超 ,王曦 ,贾仁需 . 人工晶体学报 . 2020,第11期
2. Al掺杂4H-SiC同质外延的缓冲层 [J] . 贾仁需 ,张义门 ,张玉明 . 固体电子学研究与进展 . 2009,第2期
3. n型4H-SiC同质外延层上欧姆接触的研究 [J] . 田爱华 ,赵彤 ,潘宏菽 . 半导体技术 . 2007,第10期
4. 4H-SiC同质外延生长及Ti/4H-SiC肖特基二极管(英文) [J] . 孙国胜 ,宁瑾 ,高欣 . 人工晶体学报 . 2005,第6期
5. 4H-SiC半导体同质外延生长技术进展 [J] . 冯淦 ,孙永强 ,钱卫宁 . 人工晶体学报 . 2020,第11期
6. 4H-SiC同质外延层的表征 [C] . 李佳 ,齐国虎 ,陈昊 . 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 . 2008
7. 零偏4H-SiC衬底上同质外延生长和表征技术研究 [A] . 杨阳 . 2012

4H-SiC同质外延层的质量表征

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅