不同生长模式对AlN薄膜质量的影响

赵翠俭; 孙素静; 袁凤坡

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不同生长模式对AlN薄膜质量的影响

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采用传统生长模式和脉冲生长模式开展了蓝宝石衬底上AlN薄膜外延生长研究。通过XRD、透射谱、Raman等分析手段,研究了不同生长模式对AlN薄膜质量的影响,研究发现采用脉冲生长模式的样品与采用传统生长模式的样品相比,晶体质量显著地提高,AlNω(102)的FWHM从2093 arcsec减少到835 arcsec,有效的限制了深能级缺陷。由于采用脉冲生长模式样品中的位错密度较小,所以样品中的残余应力略有提高。研究结果表明脉冲生长模式能有效的提高蓝宝石衬底上AlN晶体质量。

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来源
《科技通报》 |2014年第7期|104-106|共3页
作者
赵翠俭; 孙素静; 袁凤坡;
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作者单位

石家庄学院物理与电气信息工程学院;

石家庄铁道大学信息科学与技术学院;

中国电子科技集团公司第十三研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜混合集成电路（薄膜电路）;
关键词
AlN; 传统模式; 脉冲模式; XRD;

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