非对称超结场效应晶体管设计和仿真

张广银; 沈千行; 喻巧群; 卢烁今; 朱阳军

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非对称超结场效应晶体管设计和仿真

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为了克服传统功率MOSFET通态电阻和击穿电压之间的矛盾,引入了超级结(SJ)器件,通过引入横向电场来提高击穿电压.针对工艺中非对称pillar的设计需求,建立了非对称的研究分析模型,通过引入影响设计的非对称因子k,分析了k的物理意义和修正了不同pillar比例下的k值来设计相关参数,推导出超结的设计解析表达式.为了验证设计的准确性,以沟槽栅SJ-MOSFET为器件,进行了仿真验证和比较,理论与仿真结果符合良好,可以用于超结MOSFET的设计指导.

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来源
《微电子学与计算机》 |2017年第7期|18-22|共5页
作者
张广银; 沈千行; 喻巧群; 卢烁今; 朱阳军;
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作者单位

中国科学院微电子研究所;

江苏物联网研究发展中心;

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正文语种 chi
中图分类其他器件;
关键词
SJ-MOSFET非对称; 漂移区; 横向电场;

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