一种消除体效应的纳瓦量级全CMOS基准电压源

段吉海; 邓东宇; 徐卫林; 韦保林

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一种消除体效应的纳瓦量级全CMOS基准电压源

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提出了一种全部采用MOSFET构成的极低功耗基准电压源.电路由一个结构新颖的纳安量级基准电流源和温度补偿电路构成;利用CMOS源极耦合差分对代替了传统带隙电压源中所采用的电阻和Bipolar晶体管,减小了功耗和芯片面积,消除了MOS管体效应对电路的影响.采用SMIC 0.18μm CMOS工艺进行电路设计和仿真,结果表明,电路的温度系数为90,芯片面积0.006,功耗仅为54nW.该电路适用于低功耗移动电子设备.

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来源
《微电子学与计算机》 |2015年第7期|152-156|共5页
作者
段吉海; 邓东宇; 徐卫林; 韦保林;
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作者单位

桂林电子科技大学信息与通信学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类微电子学、集成电路（IC）;
关键词
电压基准; 极低功耗; 无电阻; 无Bipolar晶体管;

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