一款VDMOS半超结元胞结构的设计

刘铭; 冯全源; 庄圣贤

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设计了一款VDMOS器件的元胞结构,采用半超结结构模型.传统VDMOS结构的导通电阻会随着击穿电压的增长而增长,而半超结结构可以缓和两者之间的矛盾.通过调节工艺条件,经过三次外延注入生长形成P柱,并采用增大外延层浓度和改善电荷平衡的方式,来达到减小元胞结构的特征导通电阻和提高击穿电压的目的.最终实现了1 005V的耐压,特征导通电阻102.91mΩ*cm2,栅漏电容5.65pF/cm2,阈值电压3.45V的元胞结构,降低了超结结构的工艺难度,并获得较优的性能.

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来源
《微电子学与计算机》 |2015年第12期|49-53|共5页
作者
刘铭; 冯全源; 庄圣贤;
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作者单位

西南交通大学微电子研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应器件;
关键词
特征导通电阻; 栅漏电容; 击穿电压; 半超结;

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