磁控反应法制备氧化银薄膜的研究

刘绪伟; 郜小勇; 赵剑涛; 吴芳; 王子健

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磁控反应法制备氧化银薄膜的研究

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采用磁控反应溅射法,分别在室温和90℃条件下制备了两个系列的氧化银薄膜,其中氧氩比从1:4变化到2:1。SEM表明薄膜中的氧化银纳米颗粒尺寸均小于30nm。XRD表明随制备温度的提高AgO衍射峰减弱,Ag2O衍射峰增强,揭示了在成膜过程中,温度提高引起AgO热分解为Ag2O。分光光度计测量的反射谱和吸收谱表明氧化银的吸收边在400 nm附近,计算的氧化银禁带宽度约为3.1 eV。通过对银的特征峰(312nm处)向短波方向的移动和消失分析证实氧氩比增大的确有助于银的完全氧化,并且氧氩比2:1条件下制备的样品质量较佳。

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来源
《人工晶体学报》 |2006年第6期|1337-1340|共4页
作者
刘绪伟; 郜小勇; 赵剑涛; 吴芳; 王子健;
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作者单位

郑州大学教育部材料物理重点实验室;

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正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
磁控溅射; 氧化银; 热分解;

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