4H-SiC MOS电容栅介质经NO退火电流导通机理研究

刘莉; 杨银堂

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4H-SiC MOS电容栅介质经NO退火电流导通机理研究

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本文对进行NO退火和非NO退火的SiC MOS电容的栅泄漏电流的导通机理进行了分析,研究表明在高场下经过NO退火和未经过NO退火的样品的栅泄露电流都由Fowler-Nordheim(FN)隧穿决定,经过NO退火的势垒高度为2.67eV,而未经过NO退火的样品势垒高度为2.54eV,势垒高度的增加说明了氮化的作用.在中度电场区域,通过拟合分析发现此区域的栅泄漏电流主要由Poole-Frenkel发射(PF)决定,并不受陷阱辅助隧穿trap assisted tunneling(TAT)的影响.同时C-V特性也明显看出NO退火对界面质量的影响.

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来源
《北京理工大学学报》 |2017年第5期|497-500|共4页
作者
刘莉; 杨银堂;
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作者单位

西安电子科技大学微电子学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类微电子学、集成电路（IC）;
关键词
SiC; MOS; NO退火; 栅泄漏电流导通机理;

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