一种加固SRAM单元DDICE及外围电路设计

周恒; 李磊

首页> 中文期刊> 《微电子学与计算机》 >一种加固SRAM单元DDICE及外围电路设计

一种加固SRAM单元DDICE及外围电路设计

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

经典的DICE单元在非读写状态时具有高效抗单粒子翻转效应能力,但在读写状态下对单粒子轰击引起的单粒子瞬态却无能为力.基于DICE,提出新型DDICE结构,在互锁结构的基础上将读写线路分开,加入延时电路,并用位线和延时位线写入数据,使存储单元在读写状态下具有一定的抗单粒子效应能力,保证存储单元在静态和动态情况下免受单粒子效应的影响.同时,在译码电路中加入滤波单元,防止译码电路被单粒子轰击时,写入或读出错误数据.该设计对SRAM进行了多方位的加固,具有很强的抗单粒子效应能力.

著录项

来源
《微电子学与计算机》 |2015年第5期|68-72|共5页
作者
周恒; 李磊;
展开▼
作者单位

电子科技大学电子科学与技术研究院;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类设计;
关键词
抗辐照; 单粒子翻转; SRAM加固;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 一种适于FPGA芯片的SRAM单元及外围电路设计 [J] . 徐新宇 ,徐玉婷 ,林斗勋 . 电子与封装 . 2014,第004期
2. 一种双栅结构抗单粒子翻转加固SRAM存储单元 [J] . 姚思远 ,刘文平 . 现代电子技术 . 2015,第018期
3. CMOS SRAM抗辐照加固电路设计技术研究 [J] . 陆虹 ,尹放 ,高杰 . 微处理机 . 2005,第005期
4. 一种新型低功耗SRAM读写辅助电路设计 [J] . 郭春成 ,郝旭丹 ,陈霏 . 北京航空航天大学学报 . 2020,第008期
5. 一种提高SRAM写能力的自调节负位线电路设计 [J] . 欧阳谢逸 ,刘雯 . 电子技术（上海） . 2020,第012期
6. 一种抗MBU的加固SRAM存储单元设计 [C] . 陈强 ,刘衡竹 ,梁斌 . 全国抗恶劣环境计算机第二十二届学术年会 . 2012
7. 基于28nm工艺低电压SRAM单元电路设计 [A] . 关立军 . 2017

一种加固SRAM单元DDICE及外围电路设计

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅