Cu掺杂SnO_2纳米粉体的制备及气敏特性

孙红娟; 彭同江; 樊亮; 刘海峰

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Cu掺杂SnO_2纳米粉体的制备及气敏特性

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控制不同n（Cu^2＋）／n（Sn^4＋），用均匀共沉淀法制备了平均粒径约80nm的金红石型结构Cu掺杂SnO2纳米粉体；并以白云母为基片制备出Cu掺杂SnO2气敏元件。用TG—DSC、XRD、SEM对样品的相变、结构、形貌进行了分析，并测试了气敏元件的阻温特性和75℃氢气敏感性能。结果表明，Cu掺杂抑制了SnO2晶核的生长，使SnO2结晶度由约75％减小到50％，晶粒尺寸由约18nm减小到6nm；Cu掺杂使n型半导体SnO2的空气电阻值由1～8kΩ提高到9×10^5～3×10^7MΩ，并使元件在75℃对体积分数为2000×10^-6氢气的灵敏度提高约20倍；n（Cu^2＋）／n（Sn^4＋）≈0．01时，元件对体积分数为4000×10^-6氢气的灵敏度高达约42。

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来源
《精细化工》 |2008年第9期|833-837|共5页
作者
孙红娟; 彭同江; 樊亮; 刘海峰;
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作者单位

西南科技大学矿物材料与应用研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.92;
关键词
SnO2; 掺杂; 气敏; 氢气; 功能材料;

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