等离子体增强CVD法沉积的微晶硅薄膜的微结构研究(英文)

陈永生; 杨仕娥; 卢景霄; 郜小勇; 张宇翔; 王海燕; 李瑞

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本文系统研究了PECVD法沉积μc-Si薄膜中衬低温度、氢气稀释率和射频功率等参数对μc-Si薄膜结构特性的影响。表明:随着衬低温度的增加、氢气稀释率的增大、射频功率的提高,薄膜的晶化率增大。沉积薄膜的晶化率最大可达80%,表面粗糙度大约为30nm。通过对反应过程中的能量变化进行了分析,得到反应为放热反应,且非晶结构对沉积参数比较敏感。

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来源
《人工晶体学报》 |2005年第4期|753-759|共7页
作者
陈永生; 杨仕娥; 卢景霄; 郜小勇; 张宇翔; 王海燕; 李瑞;
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作者单位

郑州大学物理系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜的生长、结构和外延;
关键词
微晶硅薄膜; 晶化率; 等离子体增强化学气相沉积;

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