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丁子成; 李淑娟; 李梓; 崔丹;
西安理工大学机械与精密仪器工程学院;
SiC单晶; 脆性材料; 塑性域加工; 临界切削深度;
机译:通过分子动力学模拟研究单晶硅上椭圆振动辅助纳米切削过程中的表面质量和脆韧性转变
机译:单晶4H-SiC的脆韧性转变
机译:[SUS304ULC / Ta / Zr爆炸桥接头的氢脆研究系列]“ Ta / Zr接头界面的氢脆开裂特征和Zr母材的氢脆机理”“ Ta / Zr接头界面的氢脆”各种影响结晶的因素“” Ta / Z在水下抛光过程中“界面处的氢脆破裂现象和氢脆化机理”“ Ta / Zr界面处氢扩散和氢化物沉淀的计算机模拟”“ Ta防止Zr / Zr键合界面氢脆的施工准则的建议”
机译:划痕速度对单晶氧化镓脆塑性转变的影响
机译:原子模拟模拟冲击过程中单晶和纳米晶Cu塑性变形演变的特征。
机译:脆-塑性切割模式转变的力学研究
机译:单晶碳化硅金刚石车削过程中的脆韧性转变
机译:韧脆转变过程中特征长度和断裂韧性的预测
机译:用于单晶生长的种子晶体,种子晶体的使用以及生产SiC单晶或单晶SiC层的过程
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