金属硅化物在电阻薄膜材料中的应用

毛大立; 张澜庭; 夏年生; 毛立忠; 吴建生

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金属硅化物在电阻薄膜材料中的应用

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研究了金属硅化物在电阻薄膜材料中的应用．用真空感应熔炼精密浇铸方法制备含铬和镍的硅化物，作为溅射沉积电阻薄膜的溅射阴极靶材．发现随着硅含量的增加，溅射得到的薄膜电阻值变大，Ｓｉ含量在５０％（质量分数）以上时，溅射阴极靶材的组成由ＣｒＳｉ２，ＮｉＳｉ两相变成Ｓｉ，ＣｒＳｉ２和ＮｉＳｉ２三相．所研制的三种型号的溅射阴极靶材适用于不同电阻值范围的电阻薄膜的溅射沉积，可在金属膜和金属氧化膜电阻器上应用．

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来源
《上海交通大学学报》 |1998年第2期|123-126|共4页
作者
毛大立; 张澜庭; 夏年生; 毛立忠; 吴建生;
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作者单位

上海交通大学国家教委高温材料及高温测试开放实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜的生长、结构和外延;
关键词
硅化物; 靶; 溅射; 薄膜电阻;

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